新品发布！ULVAC爱发科 刻蚀工艺 CVD 化学气相沉积 半导体主流

新品发布！ULVAC爱发科 刻蚀工艺 CVD 化学气相沉积 半导体主流

1、CVD 化学气相沉积

工艺原理：气态前驱体通入腔体，在晶圆 / 工件表面发生化学反应，生成固态薄膜沉积到基材表面。

主要性能 / 工艺特点

工作压力：范围宽，几 Pa ~ 几百 Pa，压力远高于 PVD 溅射（CGM2 上限仅 1Pa）

工艺气体：大量腐蚀性、反应性气体

硅源：SiH₄、TEOS；

氮化：NH₃；

金属前驱体；

蚀刻 / 清洗辅助：WF₆、含 F、Cl 卤素气体；

薄膜：氧化硅、氮化硅、钨、多晶硅等；

副产物：会产生粉尘、腐蚀性气态副产物；

工艺特性：热反应或者等离子体辅助；气体组分复杂，有强腐蚀性。

对 RGA 要求：需要差分排气，耐受较高工艺压力，抗腐蚀；❌CGM2 压力不够，也不耐腐蚀。

2、ALD 原子层沉积

原理：自限制的交替通入两种前驱体气体，一层原子一层原子生长薄膜，属于 CVD 的进阶分支。

主要性能 / 工艺特点

压力：通常几 Pa‑几十 Pa；脉冲式交替进气；

气体：金属有机前驱体、氧化剂、还原剂；大量含 Cl、F 卤素反应气体；

核心优势：膜厚高度均匀、台阶覆盖性比较好，高深宽比沟槽也能均匀镀膜；

工艺模式：脉冲交替供气，腔内气体成分快速动态变化；

副产物：挥发性有机、卤化物腐蚀性副产物。

对 RGA：差分排气，要承受脉冲压力波动，抗腐蚀；❌CGM2 不适用。

3、刻蚀工艺（干法刻蚀，半导体主流）

原理：等离子体激活腐蚀性气体，对晶圆薄膜做化学 + 物理轰击，把材料剥离，图形化。分为反应离子刻蚀 RIE、ICP 感应耦合刻蚀。

主要性能 / 工艺特点

工作压力：0.1Pa‑几十 Pa；等离子体环境；

工艺气体：大量卤素腐蚀气体：CF₄、SF₆、Cl₂、BCl₃等氟、氯系气体；

作用：把硅、氧化硅、金属层按图案刻掉；

副产物：金属卤化物、粉尘、腐蚀性残余气体；等离子体环境；

工艺特点：气体腐蚀性较好的，会腐蚀灯丝、离子源电极。

对 RGA：差分排气，隔离腐蚀性工艺气体，保护质谱探头；❌CGM2 离子源直接接触工艺气，灯丝、电极会快速被腐蚀损坏。