半导体真空工艺怎么选？ULVAC爱发科 成膜工艺整机：PVD 溅射设备 操作应用

半导体真空工艺怎么选？ULVAC爱发科 成膜工艺整机：PVD 溅射设备 操作应用

真空是半导体工艺的底层基础，不同制程对于真空度、耐腐蚀性、薄膜工艺能力、连续运转能力要求差异巨大。ULVAC 爱发科同时拥有工艺整机 + 真空核心零部件完整产品线，很多选型误区，往往就是只关注设备参数，忽略实际工艺介质、腔体工况、量产连续性。本文梳理爱发科半导体主力产品线，结合真实工况给出选型判断依据，方便快速筛选适配方案。

一、成膜工艺整机：PVD 溅射设备

ENTRO‑EX 系列

工况定位：8‑12 英寸逻辑、存储芯片大规模量产 PVD 平台

适配工艺：金属互连层、阻挡层、种子层沉积；多腔模块化，可扩展预清洗、加热冷却模块

适用场景：前道晶圆制造，对薄膜均匀性、产能、设备扩展性有高要求产线

不适合：小批量研发打样

SME 系列

工况定位：8 英寸、先进封装量产主力机型

适配工艺：Fan‑Out、TSV 硅通孔、2.5D/3D 封装，RDL 再布线、UBM 凸点底层金属沉积

工况优势：优秀台阶覆盖能力，薄膜应力可控，缓解薄晶圆翘曲分层

适用：功率器件、扇出封装产线

CS‑200 小型溅射设备

工况定位：研发、小批量试制、MEMS、SAW 滤波器打样

适用场景：实验室、研发中试，样品验证、工艺开发；不适合大产能量产

选型提醒：追求量产产能选 ENTRO‑EX；做先进封装选 SME；研发打样优先 CS‑200。

二、掺杂、刻蚀、去胶等离子整机

IH 系列高温离子注入机（IH‑860DSIC）

工况定位：SiC 碳化硅第三代半导体核心装备

核心特点：搭载高温 ESC 静电卡盘，支持碳化硅高温离子掺杂

适用：SiC‑MOSFET、车载功率器件；SOPHI 系列兼顾硅功率器件、MEMS 注入

不适合：普通硅片低束流常规注入场景

NA 系列等离子灰化 / 去胶机

工况定位：晶圆级 & 大面板双版本，光刻胶、PI 胶残渣去除

晶圆机型：200/300mm 晶圆，Fan‑Out 封装 RDL 制程，去除残胶同时保护底层介电层，避免线路短路

面板机型：支持 600mm 大面板基板，面板级扇出封装

工况要点：对底层材料损伤控制是选型核心指标

NE 系列高密度 ICP 干法刻蚀设备

工况定位：化合物半导体干法刻蚀

适配 GaN、SiC、AlN，LED、射频器件、功率芯片刻蚀；高刻蚀速率、低器件损伤

三、真空获得：干式真空泵系列

LR 罗茨干泵

工况：中小抽速、风冷无需冷却水

适配：Load‑Lock 腔体、PVD 腔体粗抽、检测设备；实验室与量产均可

不适合：大量卤素腐蚀气体工艺

CR 螺杆干泵

工况：大抽速水冷，24 小时连续量产运行

适配：CVD、普通刻蚀排气，硅基芯片产线主力干泵

VS 耐腐蚀干泵

工况：耐受卤素、氯化物等强腐蚀性工艺气体，第三代半导体 SiC/GaN 产线

适用：MOCVD、腐蚀型刻蚀腔体；维护周期长，降低腐蚀带来泵体损坏风险

UTM 涡轮分子泵

高真空获取，适配分析仪器、科研镀膜腔体。

选型快速判断：

普通硅产线刻蚀 CVD→CR；Load‑Lock、检测工位→LR；含卤素腐蚀工艺→VS。

四、真空检测配套产品

HELIOT 氦质谱检漏仪

工况：腔体检漏、功率器件 TO 封装、模组气密性检测，快速检出微小漏点，规避真空泄漏带来批量工艺不良

适用：产线腔体日常校验、后道器件可靠性检测

G‑TRAN 真空计系列

皮拉尼计、电离真空计、电容薄膜真空计，覆盖大气压至超高真空区间，实时监控腔体真空状态，保障工艺重复性。