ULVAC爱发科 半导体配套装备大盘点 PVD 溅射成膜设备：薄膜沉积核心主机

ULVAC爱发科 半导体配套装备大盘点 PVD 溅射成膜设备：薄膜沉积核心主机

半导体产线的稳定运行，既离不开成膜、掺杂这类核心工艺主机，也依赖真空泵、检漏仪这类真空基础装备。日本 ULVAC 爱发科，同时掌握溅射成膜、离子注入工艺整机，以及干式真空泵、氦质谱检漏仪等真空核心部件，整套装备大量落地前道晶圆制造、先进封装、第三代功率器件产线。本文对四大类主力装备做完整盘点，梳理型号、工艺定位与典型应用场景。

一、PVD 溅射成膜设备：薄膜沉积核心主机

溅射是半导体金属化、阻挡层、再布线层制备的关键工艺，爱发科溅射设备覆盖研发打样到 12 英寸大规模量产全区间。

1. ENTRO‑EX 系列

8‑12 英寸集群式量产 PVD 平台，面向逻辑、存储芯片前道制造。模块化多腔结构，完成金属互连层、阻挡层、种子层沉积；薄膜均匀性比较好，支持加热、预清洗模块扩展，主打大产能晶圆量产产线。

> 适用：DRAM、NAND、12 寸逻辑芯片前道工艺。

2. SME 系列

8 英寸机型，先进封装主力溅射设备。针对 Fan‑Out、TSV 硅通孔、2.5D/3D 堆叠封装，高深宽比结构优秀台阶覆盖；精准控制薄膜应力，改善薄晶圆翘曲、分层，用于 RDL 再布线、UBM 凸点底层金属沉积。

> 适用：功率器件、扇出封装产线。

3. CS‑200 小型溅射系统

紧凑型桌面机型，面向实验室研发、中小批量试制。适配 MEMS 传感器、SAW 射频滤波器、光通信芯片样品开发，不适合大批量连续生产。

> 适用：高校、企业研发中心工艺打样。

二、离子注入设备：第三代半导体掺杂主力

离子注入晶圆离子掺杂，是功率器件电性能的工序。

1. IH‑860DSIC（IH 系列）

SiC 碳化硅标志性装备，搭载高温 ESC 静电卡盘，碳化硅晶圆高温离子注入，高能量 860keV，双工位设计提升产能，是国内 SiC‑MOSFET 车载功率芯片产线核心设备。

> 适用：新能源车功率器件、工业逆变器 SiC 芯片制造。

2. SOPHI 系列离子注入机

兼顾硅基功率器件、MEMS 器件，适配中高束流掺杂工艺，覆盖 IGBT、传感器芯片生产。

配套等离子工艺设备补充

- NA 等离子灰化去胶机：分晶圆级、600mm 大面板机型，高效去除光刻胶、PI 胶残留，低损伤保护底层介质层，扇出封装 RDL 制程标配，规避线路短路不良。

- NE 系列 ICP 干法刻蚀机：面向 GaN、SiC、AlN 化合物半导体，高刻蚀速率、低器件损伤，用于射频器件、LED 功率芯片。

三、干式真空泵系列：真空获得的动力心脏

真空泵是所有真空腔体的基础动力，不同工艺气体腐蚀性，决定泵型选型，选错易造成泵体快速损坏。

1. LR 罗茨干泵

中小抽速风冷机型，无需冷却水。多用于 Load‑Lock 预抽腔、PVD 腔体粗抽、检测设备。

> 工况：普通无强腐蚀气体，量产与实验室通用。

2. CR 螺杆干泵

大抽速水冷，支持 24 小时不间断量产。作为 CVD、普通刻蚀腔体主力排气泵，硅基逻辑存储产线广泛使用。

3. VS 耐腐蚀干泵

专门应对卤素、氯化氢等腐蚀性工艺气体，SiC/GaN 第三代半导体产线，耐受 MOCVD、腐蚀刻蚀工艺尾气，延长维护周期，降低停机风险。

4. UTM 涡轮分子泵

获取高真空，用于分析仪器、小型科研镀膜腔体。