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新品到货!半导体制程专用:CHUKOH中兴化成填充压缩成型PTFE材料的优势

更新时间:2026-08-26      浏览次数:10

新品到货!半导体制程专用:CHUKOH中兴化成填充压缩成型PTFE材料的优势

新品到货!半导体制程专用:CHUKOH中兴化成填充压缩成型PTFE材料的优势

## 半导体制程专用:CHUKOH中兴化成填充压缩成型PTFE材料的低析出应用优势

在12英寸晶圆先进制程、第三代半导体制造的严苛管控体系中,半导体制程部件的材料析出物是引发晶圆表面颗粒污染、金属离子超标、良率损失的核心诱因之一。传统纯PTFE材料虽具备基础耐腐性能,但在高负载滑动、长期热循环工况下易出现蠕变磨损,而普通填充改性PTFE则常因填充剂析出管控不足,无法适配高纯制程要求。CHUKOH中兴化成面向半导体制程推出的填充压缩成型PTFE材料,通过全链条低析出技术管控,在保留填充改性带来的高机械强度、耐磨损性能的同时,金属离子、有机析出物的控制,成为半导体制程关键部件的优选材料。


## 1. 填充剂体系定制化管控,从源头阻断金属离子析出

不同于通用工业场景的PTFE填充方案,中兴化成半导体系列填充压缩成型PTFE材料,摒弃了常规的玻璃纤维、普通金属粉等易析出填充组分,采用半导体级高纯改性填充剂,所有填充原料均经过超纯酸洗、多道次杂质提纯处理,将填充剂本身的铁、钠、钙等常见金属离子含量控制在ppb级别。 同时材料配方经过特殊优化,填充剂在PTFE基体中纳米级均匀分散,避免填充颗粒裸露、脱落进入制程药液或高纯气体管路的风险,即使长期接触HF、SPM、SC-1等强腐蚀性半导体制程药液,也不会出现填充组分溶出,杜绝了金属离子污染晶圆表面引发的栅极氧化层缺陷。


## 2. 压缩成型工艺,材料本体低释尘

中兴化成依托60余年氟树脂加工经验,针对半导体级填充PTFE搭建了百级洁净车间专属压缩成型生产线,从原料投料、模压烧结到后处理全流程无异物管控,隔绝外部环境杂质混入材料本体。 相比普通模压PTFE,该系列材料的内部孔隙率被控制在0.1%以下,材料表面经过特殊的精密车削+等离子体钝化处理,表面粗糙度Ra≤0.2μm,在晶圆传输、高速线缆绝缘等低释尘要求高的场景中,运动摩擦产生的微粉尘量仅为普通填充PTFE的1/10,满足12英寸晶圆厂洁净室Class 1级的释尘管控标准。


## 3. 宽温域工况下性能稳定,长期服役无异常析出

半导体制程中大量部件需要长期在-40℃\~260℃的宽温循环环境下工作,中兴化成这款填充压缩成型PTFE材料通过压缩成型过程中的精准温控烧结工艺,PTFE分子链的高度稳定交联,在高低温反复循环、等离子体长期辐照的工况下,不会出现分子链断裂、小分子有机物析出的问题。 在湿法清洗槽内衬、HF刻蚀槽密封件、晶圆承载花篮滑动部件等场景中,该材料经过超过1000小时的连续服役验证,制程药液中的总有机碳(TOC)增量远低于SEMI F20半导体材料标准要求,不会对光刻胶、高纯药液造成二次污染,大幅降低了因材料析出导致的晶圆返工风险。


## 4. 适配半导体制程全场景,兼顾性能与低析出双重要求

传统纯PTFE材料在高负载工况下易发生冷流蠕变,无法适配晶圆传输机构的滑动部件、高纯阀门密封件等需要高机械强度的场景,而中兴化成这款填充压缩成型PTFE材料,在低析出的同时,保留了填充改性带来的高耐磨、抗蠕变优势,其压缩强度是纯PTFE的3倍以上,耐磨使用时间提升5倍以上。 目前该系列材料已广泛应用于半导体制程的湿法清洗设备部件、高纯化学品输送管路密封件、晶圆传输系统滑动衬垫、刻蚀机台非等离子区密封件等多个关键环节,在国内多条8英寸、12英寸晶圆产线的国产化替代项目中,与进口半导体级PTFE材料同等的低析出表现,帮助产线有效降低了制程污染带来的良率损失。